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| 品牌 | 廣電計量 | 服務區域 | 全國 |
|---|---|---|---|
| 服務資質 | CMA/CNAS | 服務周期 | 常規5-7個工作日 |
| 服務費用 | 視具體項目而定 |
服務內容
廣電計量的DB-FIB均配備了納米機械手，氣體注入系統（GIS）和能譜EDX，能夠滿足各種基本和高階的半導體失效分析需求。還將持續不斷地投入先進電子顯微分析設備，不斷提升和擴充半導體失效分析相關能力，為客戶提供細致且全面深入的失效分析解決方案。廣電計量能提供一站式雙束掃描電子顯微鏡檢測,材料微觀分析服務
服務范圍
目前DB-FIB被廣泛應用于陶瓷材料、高分子、金屬材料、生物、半導體、地質學等領域的研究和相關產品檢測。
檢測標準
廣電計量雙束掃描電子顯微鏡檢測,材料微觀分析服務執行：國家標準（GB/T）、國家汽車行業標準（QC/T）、國際標準（ISO）、以及國內外各大汽車主機廠標準。
測試項目
1、定點截面加工
2、TEM樣品成像分析
3、選擇性刻蝕或增強刻蝕檢驗
4、金屬材料沉積和絕緣層沉積測試
檢測資質
CNAS、CMA
檢測周期
常規5-7個工作日
服務背景
著半導體電子器件及集成電路技術的飛速發展，器件及電路結構越來越復雜，這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB雙束掃描電鏡所具備的強大的精細加工和微觀分析功能，使其廣泛應用于微電子設計和制造領域。
FIB雙束掃描電鏡是指同時具有聚焦離子束(FocusedIonBeam，FIB)和掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope，SEM)功能的儀器。它可以實現SEM實時觀測FIB微加工過程的功能，把電子束高空間分辨率和離子束精細加工的優勢集于一身。其中，FIB是將液態金屬離子源產生的離子束經過加速，再聚焦于樣品表面產生二次電子信號形成電子像，或強電流離子束對樣品表面刻蝕，進行微納形貌加工，通常是結合物理濺射和化學氣體反應，有選擇性的刻蝕或者沉積金屬和絕緣層。
我們的優勢
廣電計量聚焦集成電路失效分析技術，擁有業界專家團隊及目前市場上先進的Ga-FIB系列設備，可為客戶提供完整的失效分析檢測服務，幫助制造商快速準確地定位失效，找到失效根源。同時，我們可針對客?的研發需求，提供不同應?下的失效分析咨詢、協助客戶開展實驗規劃、以及分析測試服務，如配合客戶開展NPI階段驗證，在量產階段(MP)協助客戶完成批次性失效分析。
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