前沿設(shè)備 | 先進(jìn)制程芯片分析能力介紹-微區(qū)分析技術(shù)TEM

更新時(shí)間：2023-08-24 | 點(diǎn)擊率：1885

透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡稱TEM)，是一種以電子束為光源的基于電子顯微學(xué)的微觀物理結(jié)構(gòu)分析技術(shù)，分辨率最高可以達(dá)到0.1nm左右。TEM技術(shù)的出現(xiàn)，大大提高了人類肉眼觀察顯微結(jié)構(gòu)的極限，是半導(dǎo)體領(lǐng)域不可少的顯微觀察設(shè)備，也是半導(dǎo)體領(lǐng)域工藝研發(fā)、量產(chǎn)工藝監(jiān)控、工藝異常分析等不能缺少的設(shè)備。

TEM在半導(dǎo)體領(lǐng)域具有非常廣泛的用途，如晶圓制造工藝分析、芯片失效分析、芯片逆向分析、鍍膜及刻蝕等半導(dǎo)體工藝分析等等，客戶群體遍布晶圓廠、封裝廠、芯片設(shè)計(jì)公司、半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)、材料研發(fā)、高校科研院所等。

01 TEM技術(shù)團(tuán)隊(duì)能力介紹

廣電計(jì)量的TEM技術(shù)團(tuán)隊(duì)由陳振博士牽頭，團(tuán)隊(duì)技術(shù)骨干的相關(guān)行業(yè)經(jīng)驗(yàn)均在5年以上，不僅具有豐富的TEM結(jié)果解析經(jīng)驗(yàn)，還具有豐富的FIB制樣經(jīng)驗(yàn)，具備7nm及以上先進(jìn)制程晶圓的分析能力及各種半導(dǎo)體器件關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的解析能力，目前服務(wù)的客戶遍布國內(nèi)的晶圓廠、封裝廠、芯片設(shè)計(jì)公司、高校科研院所等，并受到客戶廣泛的認(rèn)可。

02設(shè)備能力介紹

TEM設(shè)備

TEM型號：Talos F200X參數(shù)

1.電子槍：X-FEG

2.200Kv時(shí)亮度1.8*109 [A/cm2/Sr]

EDS探頭型號：Super-X

3.HRTEM信息分辨率：0.12 nm

HRSTEM分辨率：0.16 nm

TEM樣品制備設(shè)備DB FIB

DB FIB型號：Helios 5 CX參數(shù)

1.離子源：液態(tài)鎵離子源

2.EDS探頭型號/有效活區(qū)面積：

Ultim Max65/65mm2

3.離子束分辨率：2.5 nm@30Kv

4.電子束分辨率：1.0 nm@1.0 Kv,

0.6nm@15Kv

03TEM服務(wù)項(xiàng)目介紹

04關(guān)于陳振博士

陳振

無錫廣電計(jì)量副總經(jīng)理

復(fù)旦大學(xué)材料物理專業(yè)博士，上海市“科技創(chuàng)新行動計(jì)劃"技術(shù)平臺負(fù)責(zé)人，無錫市發(fā)展改革研究中心決策咨詢專家，南京大學(xué)和西安電子科技大學(xué)碩士研究生兼職導(dǎo)師，上海“菊園工匠"、“嘉定技術(shù)能手"，負(fù)責(zé)的先進(jìn)制程芯片檢測項(xiàng)目入選“上海市檢驗(yàn)檢測創(chuàng)新案例"。

曾參與國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目2項(xiàng)，國家自然基金面上項(xiàng)目3項(xiàng)，國外高水平期刊發(fā)表SCI論文8篇，申請發(fā)明Z利1項(xiàng)，出版光電傳感器英文論著1部。

廣電計(jì)量堅(jiān)持以客戶為中心，在全國主要經(jīng)濟(jì)圈設(shè)有60多家分子公司，擁有近6000名優(yōu)秀員工，搭建了全國一體化計(jì)量檢測與認(rèn)證技術(shù)公共服務(wù)平臺。企業(yè)服務(wù)能力覆蓋裝備制造、汽車、航空、軌道交通、船舶、通信、電力、電子電器、食品、環(huán)保、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、石化等領(lǐng)域，可迅速響應(yīng)各行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上下游客戶需求，為客戶提供近距離、本地化的專業(yè)服務(wù)，幫助其提升自身競爭力。

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